Semi-conducteurs. Page 13 sur 485. Avtronic

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Triacs et diacs

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Affichage 21 articles: 2N5416 à 2N6488 (Page 13 sur 485)

Transistor 2N5416

3.53€ TTC

14 En stock

Transistor bipolaire PNP 350V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Vceo (IB=0): 300V. Vcbo: 350V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 120.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5416-ST

5.32€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP 350V 1A 1W/10W 15MHz VID.. Constructeur: ST Microelectronics. Type de boîtier: TO-39 (TO-205). Boîtier: TO-39. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 300V. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Consommation 1A. Puissance: 10W. FT: 15MHz. VCE(sat): 2.5V. HFE(min): 30. HFE max.: 120. C (out): 25 pF. Diode CE: No. Diode BE: No.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5458

5.32€ TTC

30 En stock

Transistor 2N5458 N-FET 25V Idss: >6mA Up-7V 625mW TO-92. JFETs - General Purpose. Uni sym. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5459

1.96€ TTC

2060 En stock

Transistor 2N5459 N-FET 25V Idss: >9mA Up<8V 625mW TO-92. Uni sym. Constructeur: FAI. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 mA. Puissance: 625 mW

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5460

5.15€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -40V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Tarifs dégressifs

Transistor FET canal-P 2N5461

2.58€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal-P 40V 10mA 350mW Idss 2-9mA

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5484

2.69€ TTC

66 En stock

Transistor 2N5484 N-FET 25V Idss: >1mA 350mW VHF/U. J-FET. VHF/UHF. RF Amplifier. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 mA. VHF/UHF. Puissance: 350 mW

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5551

0.22€ TTC

1531 En stock

Transistor bipolaire NPN 180V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 180V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. Gain Hfe: 80-250.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor NPN 2N5589

33.38€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 36V 0.6A 3-15W PQ=3W 175MHz VHF

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5590

50.12€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N5590 36V 2A PQ=10W 175MHz VHF. Vce maxi: 36 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. VHF-L. Fréquence maxi: 175 MHz. Puissance: 10 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5883

12.04€ TTC

3 En stock

Transistor bipolaire PNP 2N5883 60V 25A 200W >4MHz. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5885. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5884

15.06€ TTC

154 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5886. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5886

14.62€ TTC

159 En stock

Transistor bipolaire NPN 80V 25A. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 25A. Puissance: 200W. Fréquence maxi: 4MHz. Paire: 2N5884.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N6027

1.62€ TTC

292 En stock

Transistor unijonction. Puissance: 350mW. Boîtier: TO92. Tension OFF maxi: 40V. Courant d'anode maxi: 150mA.

Tarifs dégressifs

Triac 2N6075A

2.69€ TTC

231 En stock

Triac 600V. Courant maxi: 4A. Courant de commande: 10/15mA. Boîtier: TO-126. Sensitive Gate.

Tarifs dégressifs

Triac 2N6075B

2.69€ TTC

511 En stock

Triac 600V. Courant maxi: 4A. Courant de commande: 5/15mA. Boîtier: TO-225. Sensitive Gate.

Tarifs dégressifs

Transistor NPN 2N6080

47.26€ TTC

1 En stock

Transistor NPN 36V 5A PQ=12W 175MHz VHF

Tarifs dégressifs

Transistor 2N6109

5.77€ TTC

10 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 7A. Gain Hfe: 20. TO-220AB. Fréquence maxi: 10 MHz. Tension Vcb: 50V. Puissance: 40W.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N6284

16.91€ TTC

23 En stock

Transistor bipolaire NPN Darlington 100V 20A. Boîtier: TO-3. Gain Hfe: 750. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 160W. Paire: 2N6287.

Tarifs dégressifs

Thyristor 2N6405

6.61€ TTC

28 En stock

Thyristor 800V. Courant maxi: 16A. 50Hz. Igt/Ih: 30/40mA. Boîtier: TO-220AB.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N6488

3.70€ TTC

65 En stock

Transistor bipolaire NPN 90V 15A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Vcbo: 90V. Courant de collecteur maxi: 15A. Puissance: 75W. Fréquence maxi: 5MHz. Gain Hfe mini: 20. Paire: 2N6491.

Tarifs dégressifs

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Circuits logiques série 4000

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Triacs et diacs

Transistor 2N5416

Transistor bipolaire PNP 350V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Vceo (IB=0): 300V. Vcbo: 350V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 120.

Transistor 2N5416-ST

Transistor 2N5458

Transistor 2N5458 N-FET 25V Idss: >6mA Up-7V 625mW TO-92. JFETs - General Purpose. Uni sym. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

Transistor 2N5459

Transistor 2N5459 N-FET 25V Idss: >9mA Up<8V 625mW TO-92. Uni sym. Constructeur: FAI. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 mA. Puissance: 625 mW

Transistor 2N5460

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -40V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Transistor FET canal-P 2N5461

Transistor FET canal-P 40V 10mA 350mW Idss 2-9mA

Transistor 2N5484

Transistor 2N5484 N-FET 25V Idss: >1mA 350mW VHF/U. J-FET. VHF/UHF. RF Amplifier. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 mA. VHF/UHF. Puissance: 350 mW

Transistor 2N5551

Transistor bipolaire NPN 180V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 180V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. Gain Hfe: 80-250.

Transistor NPN 2N5589

Transistor NPN 36V 0.6A 3-15W PQ=3W 175MHz VHF

Transistor 2N5590

Transistor NPN 2N5590 36V 2A PQ=10W 175MHz VHF. Vce maxi: 36 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. VHF-L. Fréquence maxi: 175 MHz. Puissance: 10 W

Transistor 2N5883

Transistor bipolaire PNP 2N5883 60V 25A 200W >4MHz. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5885. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

Transistor 2N5884

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5886. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

Transistor 2N5886

Transistor bipolaire NPN 80V 25A. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 25A. Puissance: 200W. Fréquence maxi: 4MHz. Paire: 2N5884.

Transistor 2N6027

Transistor unijonction. Puissance: 350mW. Boîtier: TO92. Tension OFF maxi: 40V. Courant d'anode maxi: 150mA.

Triac 2N6075A

Triac 600V. Courant maxi: 4A. Courant de commande: 10/15mA. Boîtier: TO-126. Sensitive Gate.

Triac 2N6075B

Triac 600V. Courant maxi: 4A. Courant de commande: 5/15mA. Boîtier: TO-225. Sensitive Gate.

Transistor NPN 2N6080

Transistor NPN 36V 5A PQ=12W 175MHz VHF

Transistor 2N6109

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 7A. Gain Hfe: 20. TO-220AB. Fréquence maxi: 10 MHz. Tension Vcb: 50V. Puissance: 40W.

Transistor 2N6284

Transistor bipolaire NPN Darlington 100V 20A. Boîtier: TO-3. Gain Hfe: 750. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 160W. Paire: 2N6287.

Thyristor 2N6405

Thyristor 800V. Courant maxi: 16A. 50Hz. Igt/Ih: 30/40mA. Boîtier: TO-220AB.

Transistor 2N6488

Transistor bipolaire NPN 90V 15A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Vcbo: 90V. Courant de collecteur maxi: 15A. Puissance: 75W. Fréquence maxi: 5MHz. Gain Hfe mini: 20. Paire: 2N6491.

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